MBR30150DC二****管|ASEMI(在线咨询)|二****管

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摘要 : 在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，*了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧*，这种击穿称为齐纳击穿。我们从二****管工作原理来理解一下二****管的反向击穿

在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，*了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧*，这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。 另一种雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时，外加电场使电子*移速度加快，从而与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子，载流子雪崩式地增加，致使电流急剧增加，这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿，二****管，若对其电流不加限制，MBR30100FCT二****管，都可能造成PN结损坏

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摘要 : 发光二****管导体材料通常都是铝化稼，在纯铝化稼中，所有的原子都****的与它们的邻居结合，MBR30150DC二****管，没有留下自由电子连接电流。在搀杂物质中，额外的原子改变电平衡，不是增加自由电子

发光二****管导体材料通常都是铝化稼，在纯铝化稼中，SB3045LFCT二****管，所有的原子都****的与它们的邻居结合，没有留下自由电子连接电流。在搀杂物质中，额外的原子改变电平衡，不是增加自由电子就是创造电子可以通过的空穴。这两样额外的条件都使得材料更具传导性。

因此，电子空穴本身就显示出是从正电区域流向负电区域。二****管是由N型半导体物质与P型半导体物质结合，每端都带电子。这样排列使电流只能从一个方向流动。当没有电压通过二****管时，电子就沿着过渡层之间的汇合处从N型半导体流向P型半导体，从而形成一个损耗区。在损耗区中，半导体物质会回复到它原来的绝缘状态--所有的这些“电子空穴”都会被填满，所有就没有自由电子或电子真空区和电流不能流动。

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摘要 : 肖特基产品应用注意 应小于肖特基二****管的正向额定电流IF.2.应用电路的峰值工作电压应小于肖特基二****管的高反向击穿电压Vrrm.3.应用电路内的肖特基二****管的实际工作温升应小于肖肖特基产品应用注意

　　应小于肖特基二****管的正向额定电流IF.2.应用电路的峰值工作电压应小于肖特基二****管的高反向击穿电压Vrrm.3.应用电路内的肖特基二****管的实际工作温升应小于肖特基二****管的高结温Tjmax.4.对于比较苛刻的环境，为了保证可靠性，肖特基二****管应降额使用。5.对于浪涌电压或浪涌电流比较大的应用电路应该加*和吸收电路。6.肖特基二****管的代换尽量选用原型号、因为不同的型号的肖特基正向压降VF和反向击穿电压VR、反向漏电流IR都不同。

表1是MBR2040、MBR2060、MBR20100、MBR20150、MBR20200的参数比较。例如：用MBR20100代换MBR2040，虽然MBR20100的反向击穿电压比MBR2040高，似乎代换没问题。但是MBR20100的正向压降比MBR2040高，假如应用在电脑机箱电源电路中会造成 5V和 12V电压偏离正常值过多，另外功耗会比原来*。

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