智能石墨电****电阻率测试仪查看、冠测精电(图)

符合半导体材料电阻率的国际及*标准测试方法。

2、测量厚度大于4倍探针间距的硅晶体，也可测量薄硅片电阻率及方阻。

3、电阻率测量范围复盖****常用的区段：0.01—199.9Ω·cm。（可添加电阻率小于0.5Ω·cm的报警功能）

方块电阻测量范围复盖****常用的区段：0.1—1999Ω/□。（可添加方块电阻小于5Ω/□的报警功能）

4、配置*恒流源，测量电流稳定，分两档：1mA、10mA，每档均可在大范围内调节（1mA：0.1—1mA；10mA：1mA—10mA）。

5、测量精度高：电器测量精度优于0.3%；

整机测量误差：测量1-100Ω·cm的标准硅片误差≤±3%。

测量大于100Ω·cm和小于1Ω·cm的标准硅片误差≤±5%。

6、重量轻，约2.5kg；体积小：240×210×100（mm）。

7、可配用多种探针间距的四探针头：1.00mm、1.59mm。

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地址：北京昌平科技园区凉水河路1号院2号楼创意大厦

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满足标准：绝缘材料

GB/T 1410-2006 固体绝缘材料体积电阻率和表面电阻率试验方法

ASTM_D_257-99_绝缘材料的直流电阻或电导的试验方法

GB/T 1692-1992 硫化橡胶绝缘电阻率测定

GB/T 1692-2008 硫化橡胶 绝缘电阻率的测定

GB/T 2439-2001硫化橡胶或热塑性橡胶 导电性能和耗散性能电阻率的测定

GB/T 16906-1997 石油罐导静电涂料电阻率测定法

HG/T 3331-1978绝缘漆体积电阻和表面电阻系数测定法

QJ 2220.2-1992 涂层电绝缘性能测试方法 绝缘电阻、表面电阻率、体积电阻率的测试方法

GB/T 10581-2006 绝缘材料在高温下电阻和电阻率的试验方法

GB/T 12703.4-2010 纺织品

静电性能的评定 第４部分：电阻率

GB/T_10064-2006_测定固体绝缘材料绝缘电阻的试验方法

DL 421-1991 绝缘油体积电阻率测定法

GB/T 5654-2007 液体绝缘材料 相对电容率、介质损耗因数和直流电阻率的测量

GB/T 21216-2007 绝缘液体 测量电导和电容确定介质损耗因数的试验方法

满足标准：导体半导体材料

GB/T 3048.2-2007电线电缆电性能试验方法_第02部分_金属导体材料电阻率试

GB/T 3048.3-2007电线电缆电性能试验方法_第03部分：半导电橡塑材料体积电阻率试验

GB/T 3048.4-2007电线电缆电性能试验方法_第04部分：导体直流电阻试验

GB/T 3048.4-2007电线电缆电性能试验方法_第04部分：导体直流电阻试验

GB/T 24525-2009 炭素材料电阻率测定方法

GB/T 15662-1995 导电、防静电塑料体积电阻率测试方法

GB/T 15738-2008 导电和*静电纤维增强塑料电阻率试验方法

JB/T 6773-1993 金属石墨制品 电阻率试验方法1

QJ 1990.2-1990 电绝缘粘合剂电性能测试方法 绝缘电阻、表面电阻率、体积电阻率的测量

SHT 0019-1990 石油蜡和石油脂体积电阻率测定法

GB 3781.9-2006T 炔炭黑 第9部分 电阻率的测定1

GB/T 3781.9-1993 炔炭黑电阻率的测定

SY/T 5385-2007 岩石电阻率参数实验室测量及计算方法

YS/T 587.6-2006 炭阳****用煅后石油焦检测方法 第6部分：粉末电阻率的测定

YS/T--63.2-2006 铝用炭素材料检测方法

比电阻测量范围：10 E5～10 E14 Ω?cm

温度测控范围：室温～250℃r/室温—500°C/室温-1000°C

电压控制范围：直流0～20kv

电流检测范围：0.1nA～2mAr

直流高压电源输出电压****性：负

电压电****型式：平行圆盘型

测量电****数量：3个

电****系数：10.1

外接电源：AC220V

2.1、系统主要功能

1）系统可获得的数据结果包括：电阻、电阻率、霍尔系数、霍尔迁移率、载流子浓度，

测量数据实时反馈。

2）测量方法：范德宝法，Hall Ba*21 和1331

3）可测材料：半导体材料、电磁材料、太阳能电池等材料。

4）*系统采用模块化设计，将来可以扩展AC 模式测量：对于迁移率范围在1×10-3 到

1 cm2/Vs 的材料（例如目前有很多在研制的低迁移率材料，太阳能电池，薄膜透明氧化

物等）可以进行准确的测量，测量的重复性和稳定性好，克服了直流磁场霍尔效应在测

量低迁移率材料时出现的结果重复性差，P/N 无法准确判断的问题；将来可以扩展测量

电阻为200 GΩ的高阻材料；

2.2、系统主要技术指标

1）磁场指标：室温大磁场1.67 T（变温大磁场0.89T）

2）可测电阻范围：室温0.5mΩ- 10MΩ（773K 1MΩ，1273K 1KΩ）

3）电阻率测量范围：1 × 10-5ohm.cm - 1 × 105ohm.cm

4）迁移率：1 to 1×106cm2/Vs

*5）载流子浓度：8×102 to 8×1023 cm-3

6）激励电流：±1pA 到±100mA

*7）电压：100V

8）电源：双级四相，电流不低于±70A，电压不低于±35V，功率不低于2450W

*9）、电源电流波动：额定负载下70A 时5mA RMS(0.007%)，电源稳定性：1mA/小时，

5mA/24 小时

*10）电源可调制频率：≤0.17Hz 在70A 正弦波正常负载

2.3、系统配置要求

1）电磁铁：磁场间距可变；能提供****好的工作稳定性。

*2）电磁铁电源：具有直流与交流电流模式；要采用*的双****四相限电源，提供平滑

的零磁场转换功能和断水断电保护功能；要求为水冷模式，减少测试噪音，冷却效果充

分，确保电子器件的有效散热，设备稳定性好，寿命长。

3）*测试仪表，配套的机柜、安装支架和电缆。

4）安装系统软件的计算机一套