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管理效率

BJT的驱动器电路能够减少损耗和****系统效率。驱动器做了两件事：对器件电容迅速充放电，实现快速开关;确保连续提供基****电流，使晶体管在导通状态中保持饱和状态。

为了支持动态操作，15V的驱动器电源电压引起更快的瞬态变化，并****性能。SiCBJT的阈值电压约为3V。通常情况下无需使用负****驱动电压或米勒钳位来*****扰度。

SiCBJT是一个“常关型”器件，并且仅在持续提供基****电流。选择静态操作的基****电流值会涉及到传导损耗和驱动损耗间的折衷平衡。尽管有较高的增益值(因此会形成较低的基****电流)，驱动损耗对SiCBJT仍非常重要，由于SiC布局具有较宽能带间隙，因此必须在基****和发射****间提供一个更高的正向电压。将基****电流增加一倍，从0.5A增加到1A，仅降低正向等效电阻10%，因此需要降低传导损耗，同时使饱和度转变为较高水平。这是我们设计升压转换器的一个重要考虑因素，因为它会在更高的电流纹波下运行。1A的基****电流会使开关能力增加至40A

静态驱动损耗是选定驱动电压和输入电压的一个函数(间接表示占空比值)。实现高开关速度需要15V的驱动电压，华为并网逆变器经销商，产生约8W的损耗，主要集中在基****电阻上。为了弥补这方面的损耗，对于动态和静态操作，我们通常使用两个单独的电源电压。图1提供了示意图。高压驱动器的控制信号会“中断”，因此它仅在开关瞬态期间使能。静态驱动阶段使用较低电压，从而可以降低静态损耗，并在整个导通期间保持状态。

元器件的构成：

1、电流传感器500KW逆变器中JCE1005-FS电流传感器外形图

光伏逆变器一般采用霍尔电流传感器来进行电流采样，从小功率到大功率所采用的电流传感器形式不一，列举一些例子如下：

100KW：检测电流是300A左右，一般都会采用JCE308-TS7电流传感器

250KW：检测电流是500A左右，一般都会采用JCE508-TS6电流传感器

500KW：检测电流是1000A左右，一般会采用JCE1005-FS电流传感器

1MW：检测电流是2000A左右，一般会采用JCE2005-FS电流传感器

对于电流传感器要求精度高、响应时间快，而且耐低温、高温等环境要求，目前国内很多厂家都用开环电流传感器来取代闭环电流传感器，如：JCE1000-AXS、JCE1500-AXS、JCE2000-AXS等

2、电流互感器

一般采用BRS系列电流互感器，华为并网逆变器销售，从几百到几千A不等，输出信号一般采用0-5A为标准

3、电*器

碳化硅的优势

基于硅的BJT在高压应用中失宠有几方面原因。首先，SiBJT中的低电流增益会形成高驱动损耗，并且随着额定电流的增加，损耗变得更糟。双****运行也会导致更高的开关损耗，并且在器件内产生高动态电阻。可靠性也是一个问题。在正向偏压模式下运行器件，可能会在器件中形成具有高电流集中的局部过温，这可能导致器件发生故障。此外，电感负载切换过程中出现的电压和电流应力，可能会导致电场应力超出*移区，从而导致反向偏压击穿。这会严格限制反向安全工作区(RSOA)，意味着基于硅的BJT将不具有短路能力。

在运用碳化硅的新型BJT中不存在同样的问题。与硅相比，碳化硅支持的能带间隙是其三倍，可产生更大的电流增益，华为并网逆变器报价，以及更低的驱动损耗，因此BJT的效率更高。碳化硅的击穿电场强度是硅的10倍，因此器件不太容易受到热击穿影响，并且要可靠得多。碳化硅在更高的温度下表现更出色，因此应用范围更为广泛，甚至包括汽车环境。

从成本角度而言，华为并网逆变器，碳化硅的高开关频率在硬件级可实现成本节约。虽然相较于基于纯硅，基于碳化硅的BJT更昂贵，但SiC工艺的高功率密度将会转换为更高的芯片利用率，并且支持使用更小的散热器和更小的过滤器元件。从长远来看，使用更昂贵的碳化硅BJT实际上更省钱，因为整体系统的生产成本更低。我们设计的升压转换器就是一个例子。它设计用于额定功率为17千瓦的光伏系统中，具有600伏的输出电压，输入范围为400到530V。