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金属化薄膜电容|宿迁电容|宏品

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解说高压陶瓷电容介质击穿强度

高压陶瓷电容的介质强度表示的是介质材料承受高强度电场作用而不被电ji穿的能力,通常用伏特/密尔(V/mil)或伏特/厘米(V/cm)表示。

当外电场强度达到 某一临界值时,材料晶体点阵中的电 子克服电荷恢复力的束缚并出现场致电子发射,Y5V电容,产生出足够多的自由电子相互碰撞导致雪崩效应。进而导致突发击穿电流击穿介质,使高压陶瓷电容失效。



陶瓷电容按照封装不同可分为插件和贴片式!按照介质不同可分为I类瓷介电容和II类瓷介电容,通常SL0,COG是I类瓷介电容,X7R,X5R,Y5U,宿迁电容,Y5V是II类瓷介电容, I类瓷介电容容量稳定性很好,基本不随温度,金属化薄膜电容,电压,时间等变化而变化,但是一般容量都很小,而II类瓷介电容容量稳定性很差,随着温度,电压,时间变化幅度较大,所以一般用在对容量稳定性要求不高的场合,如滤波等!


陶瓷电容

电容用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质,并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电****制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。在维修这种这种线路时,Y2电容器,在切记断电后,需延shi或放电后再进行触碰,这是因为断电后,一段时间内,电容里面存储的电压是接近待修线路的电压的,在这段时间内碰触电容两端是非常危险的。


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