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陶瓷电容

高压陶瓷电容的内阻更小。这是由各自的构造特点决定的。高压陶瓷电容器的内阻很小，而薄膜电容器由于是采取卷绕方式，这样就造成内阻偏大。而这种偏大的内阻带来的另一fu面影响就是，电容在反复充放电的过程中，内阻会继续变大，并且会在一定时候使电容在电路中失效。相对而言高压陶瓷电容器的电压更高。薄膜电容器的电容相对来讲，工作电压是不如陶瓷电容的高，这是共识；有优点也会有缺点，陶瓷电容的容量较小。

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JEC儼然成為安全(安規)电子元件代名詞;1986年瓷介电容，薄膜电容，杭州电容，氧化鋅突波吸收器相繼投產乃至進入500VAC高標安規領域，彰顯JEC作為行业領先者的地位.

CL，涤纶电容器，又称聚酯薄膜电容器。tanδ（3～7）×10^（-3）。电容量可从100pf到几百μf；工作电压从几十伏到上万伏。绝缘电阻高，耐热性好。具有自愈性和无感特性。缺点是损耗tanδ大，电参数稳定性差。

C*电容，聚*电容器。tanδ（1～10）×10^（-4）（比CL低一个数量级）。具有优良的高频绝缘性能，电容量与损耗tanδ在很大频率范围内与频率无关，随温度变化很小，而介电强度随温度升高而有所增加，这是其他介质材料难以具备的。耐温高，吸收系数小。

高压瓷片电容特点：

常用于高压场合。

陶瓷有I类瓷，II类瓷，III类瓷之分，

I类瓷，NP0，温度特性，频率特性和电压特性佳，因介电常数不高，所以容量做不大；

II类瓷，X7R次之，聚*膜电容，温度特性和电压特性较好；

III类瓷，介电常数高，所以容量可以做很大，y1安规电容，但温度特性和电压特性不太好。

瓷片电容器一般体积不大。

另外，再强调一个重要特点：

瓷介电容器击穿后，往往呈短路状态。（这是它的弱点）

而薄膜电容器失效后，一般呈开路状态。

高压瓷片电容和高压陶瓷电容功能基本上是一样的，一些细节会有些不同。所以在使用的时候也要注意到性能方面。