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溅射靶材

北京石久高研金属材料有限公司成立于2005年， 石久高研致力于镀膜靶材和蒸发料的研发和生产工作，为电子行业、玻璃工业、数据存储、装饰镀膜、工具镀膜等行业的镀膜企业提供*的靶材和蒸发料。公司主营金属靶材、金属材料、光学镀膜材料等。

磁控溅射靶材原理：

磁控溅射一般分为二种：直流溅射和射频溅射，铂靶，其中直流溅射设备原理简单，在溅射金属时，其速率也快。而射频溅射的使用范围更为广泛，除可溅射导电材料外，也可溅射非导电的材料，同时还可进行反应溅射制备氧化物、氮化物和碳化物等化合物材料。若射频的频率****后就成为微波等离子体溅射，铂靶报价，如今，常用的有电子回旋共振(ECR）型微波等离子体溅射。

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磁控溅射靶材的原理介绍

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磁控溅射就是以磁场束缚和延长电子的运动路径，铂靶批发价格，改变电子的运动方向，****工作气体的电离率和有效利用电子的能量。电子的归宿不仅仅是基片，真空室内壁及靶源阳****也是电子归宿。但一般基片与真空室及阳****在同一电势。磁场与电场的交互作用( E X B drift)使单个电子轨迹呈三维螺旋状，而不是仅仅在靶面圆周运动。至于靶面圆周型的溅射轮廓，那是靶源磁场磁力线呈圆周形状形状。磁力线分布方向不同会对成膜有很大关系。 在E X B shift机理下工作的不光磁控溅射，多弧镀靶源，离子源，等离子源等都在次原理下工作。所不同的是电场方向，电压电流大小而已。

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微电子硅片引线中，铜与铝相比较，铜具有更高的*电迁移能力及更低的电阻率 ，能够满足半导体工艺在 0.25 μm以下的亚微米布线的需要 ，但却带来了其他的问题 。铜与有机介质材料的附着强度低 并且容易发生反应 ，导致在使用过程中芯片的铜互连线被腐蚀而断路。 为了解决以上这些问题， 需要在铜与介质层之间设置阻挡层。 阻挡层材料一般采用高熔点 、高电阻率的金属及其化合物 。因此要求阻挡层厚度小于 50 nm 且与铜及介质材料的附着性能良好。 铜互连和铝互连的阻挡层材料是不同的 ，需要研制新的靶材材料。 铜互连的阻挡层用靶材包括 Ta、 W、 TaSi 、WSi 等。但是 Ta、W 都是难熔金属，制备相对困难 现在正在研究钼、铬等的合金作为替代材料 。

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