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单晶硅制备与仿1真主要有两种方法：直拉法（Cz法）、区熔法（FZ法）；

区熔法区熔法可用于制备单晶和提纯材料，还可得到均匀的杂质分布。这种技术可用于生产纯度很高的半导体、金属、合金、无机和有机化合物晶体。在区熔法制备硅单晶中，单晶边皮料回收厂商，往往是将区熔提纯与制备单晶结合在一起，单晶边皮料回收价格，能生长出质量较好的中高阻硅单晶[5] 。区熔单晶炉主要包括：双层水冷炉室、长方形钢化玻璃观察窗、上轴（夹多晶棒）、下轴（安放籽晶）、导轨、机械传送装置、基座、高频发生器和高频加热线圈、系统控制柜真空系统及气体供给控制系统等组成。

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单晶是单一的结构，所以晶体结构更为****，多晶结构是无数个单晶的结合体。从晶体品质来说，业内做技术的人员非常清楚，无论是位错密度还是杂质含量，单晶都好于多晶的水平。直拉单晶硅的晶体品质优于铸锭多晶，决定了单晶电池转换效率优势。而在电站质量方面，超过30年发电实践，单晶是唯1经受长期验证的技术路线。

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熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。单晶硅具有准金属的物理性质，有较弱的导电性，其电导率随温度的升高而增加，有显著的半导电性。超纯的单晶硅是本征半导体。在超纯单晶硅中掺入微量的ⅢA族元素，单晶边皮料回收，如硼可****其导电的程度，而形成p型硅半导体；如掺入微量的ⅤA族元素，如磷或shen也可****导电程度，形成n型硅半导体。