宏品(图)|MEF电容|常州电容

一个电容器，如果带1库的电量时两级间的电势差是1伏，这个电容器的电容就是1法拉，即：C=Q/U 。但电容的大小不是由Q（带电量）或U（电压）决定的，即电容的决定式为：C=εS/4πkd 。其中，ε是一个常数，S为电容****板的正对面积，d为电容****板的距离，k则是静电力常量。常见的平行板电容器，电容为C=εS/d（ε为****板间介质的介电常数，S为****板面积，d为****板间的距离）。

陶瓷电容的保质期

首先我们知道陶瓷电容主要材料是瓷片，瓷片是陶瓷粉末加压冲片后经过上千度高温烧结而成，随时间推移，外观是不会变化的，所以保存期是无限期，yong久的。但由于瓷介电容器所采用的大多数是二类陶瓷介质，都具有铁电特性并呈现出一个居里温度特性 。因此，陶瓷电容有老化衰减现象。

介质在实际陶瓷中通常被扩大到一个有限的温度范围之内，但在所有的情况下，它是电容量在温度曲线上的某一个峰值 。

在热波动的影响下，MEF电容，介质冷却至居里温度之后的很长一段时间内，常州电容，晶体点阵中的离子会连续运动到势能较小的位置，MKP电容，这就引起了电容量老化现象。

片式电容的发展趋势

为了满足电子整机不断向小型化、大容量化、高可靠性和低成本的方向发展。多层片式电容器也随之迅速向前发展：种类不断增加，体积不断缩小，JNC电容，性能不断****，技术不断进步，材料不断更新，轻薄短小系列产品已趋向于标准化和通用化。

片式电容具有容量大、体积小、容易片式化等特点，是当今通讯器材、计算机板卡及家电遥控器及中使用****多的元件之一。为了适应便携式通信工具的需求，片式多层电容器也正在向低压大容量、超小超薄的方向发展。为了适应某些电子整机和电子设备向大功率高耐压的方向发展，高耐压大电流、大功率、超高Q值低ESR型的中高压片式电容器也是目前的一个重要的发展方向。

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