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随着半导体集成电路技术的发展,接近开关传感器可以与越来越多的接口电路和信号处理电路制作在同一芯片上或封闭于同一管,阜阳接近开关,因此称为集成接近开关传感器。一般集成传感器是指采用标准的生产硅基半导体集成电路的工艺技术制造的传感器。

接近开关传感器的集成化有两个方面含义:一是将敏感元件与其转换或调理电路,如放大、运算、温度补偿等电路集成在同一芯片上;二是将多个相同或不同的敏感元件集成在同一芯片上形成敏感元陈列,例如,220v接近开关,图像接近开关传感器将上万个相同的光敏二****管集成在同一平面上。集成化对于接近开关传感器的突出作用主要体现在减少尺寸、降低功耗、增强功能、****性能和减少成本上。

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当一块通有电流的金属或半导体薄片垂直地放在磁场中时,图尔克接近开关,薄片的两端就会产生电位差,这种现象就称为霍尔效应。两端具有的电位差值称为霍尔电势U,欧姆龙接近开关,其表达式为

  U=K·I·B/d

  其中K为霍尔系数,I为薄片中通过的电流,B为外加磁场(洛伦磁力Lorrentz)的磁感应强度,d是薄片的厚度。

  由此可见,霍尔效应的灵敏度高低与外加磁场的磁感应强度成正比的关系。霍尔效应原理图霍尔开关就属于这种有源磁电转换器件,它是在霍尔效应原理的基础上,利用集成封装和组装工艺制作而成,它可方便的把磁输入信号转换成实际应用中的电信号,同时又具备工业场合实际应用易操作和可靠性的要求。

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