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单晶硅制备与仿1真主要有两种方法：直拉法（Cz法）、区熔法（FZ法）；

区熔法区熔法可用于制备单晶和提纯材料，还可得到均匀的杂质分布。这种技术可用于生产纯度很高的半导体、金属、合金、无机和有机化合物晶体。在区熔法制备硅单晶中，往往是将区熔提纯与制备单晶结合在一起，能生长出质量较好的中高阻硅单晶[5] 。区熔单晶炉主要包括：双层水冷炉室、长方形钢化玻璃观察窗、上轴（夹多晶棒）、下轴（安放籽晶）、导轨、机械传送装置、基座、高频发生器和高频加热线圈、系统控制柜真空系统及气体供给控制系统等组成。

成本下降为单晶提供更好的发展土壤

　　主流多晶硅片厂商、组件厂商从技术角度上都不否认单晶良好的发展前景，在成本方面：随着单晶生长发展、金刚线薄片化普及与单晶电池转换效率不断刷新，摊薄每W成本，单晶竞争力优势越发明朗化，越来越多的光伏制造企业会****单晶份额，布局单晶市场，单晶电池组件必将*高1效光伏市场的发展。

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国际化，集团化

研发及建厂成本的日渐增高，加上现有行销与品牌的优势，156缺角单晶硅片回收，使得硅材料产业形成“大者恒大”的局面，少数集约化的大型集团公司垄断材料市场。上世纪90年代*本、德国和韩国（主要是日、德两国）资本控制的8大硅片公司的*占世界硅片*的90%以上。根据SEMI提供的2002年世界硅材料生产商的市场份额显示，Shinetsu、SUMCO、Wacker、MEMC、Komatsu等5家公司占市场总额的比重达到89%，垄断地位已经形成。