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成本下降为单晶提供更好的发展土壤

  主流多晶硅片厂商、组件厂商从技术角度上都不否认单晶良好的发展前景,在成本方面:随着单晶生长发展、金刚线薄片化普及与单晶电池转换效率不断刷新,摊薄每W成本,单晶竞争力优势越发明朗化,越来越多的光伏制造企业会****单晶份额,156缺角单晶硅片回收,布局单晶市场,单晶电池组件必将*高1效光伏市场的发展。



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众所周知,目前大多数的半导体材料都是单晶硅,长期以来,我国的单晶硅主要依靠进口。随着单晶企业在成本控制和产品转化率上不断突破,以及单晶在分布式光伏发电上的应用优势,未来单晶有望实现对多晶的逆袭。下文是对我国单晶硅行业发展现状分析。


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单晶硅制备与仿1真主要有两种方法:直拉法(Cz法)、区熔法(FZ法);

直拉法其优点是晶体被拉出液面不与器壁接触,不受容器限制,因此晶体中应力小,同时又能****器壁沾污或接触所可能引起的杂乱晶核而形成多晶。此法制成的单晶完整性好,直径和长度都可以很大,生长速率也高。所用坩埚必须由不污染熔体的材料制成。因此,一些化学性活泼或熔点****高的材料,由于没有合适的坩埚,而不能用此法制备单晶体,而要改用区熔法晶体生长或其他方法。



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