*损光伏辅料-鄂尔多斯光伏辅料-振鑫焱电站拆卸回收

振鑫焱光伏科技有限公司常年采购：*回收硅片，电池片，初级多晶硅，银浆布，回收拆卸光伏辅料，单晶硅，多晶硅，太阳能电池，光伏组件，太阳能电池板，客户撤退，降级，库存，El，不良测试，二手，旧，工程，拆卸，路灯，拆解电站，拆卸，胶合板，层压板，无边界晶体硅，多晶硅，单晶硅，实验板，*偿还，返工，光伏模块回收等。

影响因素

1 ．频率

射频 PECVD 系统大都采用 50kHz~13.56 MHz 的工业频段射频电源。较高频率（ gt;4MHz ）沉积的氮化硅薄膜具有更好的钝化效果和稳定性。

2 ．射频功率

增加 RF 功率通常会改善 SiN 膜的质量。但是，功率密度不宜过大，超过 1W/cm2 时器件会造成严重的射频损伤。

3 ．衬底温度

PECVD 膜的沉积温度一般为 250 ～ 400 ℃ 。这样能保证氮化硅薄膜在HF 中有足够低的腐蚀速率，并有较低的本征压力，从而有良好的热稳定性和*裂能力。低于 200 ℃ 下沉积的氮化硅膜，本征应力很大且为张应力，而温度高于 450 ℃ 时膜容易龟裂。

4 ．气体流量

影响氮化硅膜沉积速率的主要气体是 SiH4 。为了防止富硅膜，选择NH3/SiH4=2~20 （体积比）。气体总流量直接影响沉积的均匀性。为了防止反应区下游反应气体因耗尽而降低沉积速率，通常采用较大的气体总流量，以保证沉积的均匀性。

5 ．反应气体浓度

SiH4 的百分比浓度及 SiH4/NH3 流量比，对沉积速率、氮化硅膜的组分及*性质均有重大影响。

理想 Si3N4 的 Si/N ＝ 0.75 ，而 PECVD 沉积的氮化硅的化学计量比会随工艺不同而变化，但多为富硅膜，可写成 SiN 。因此，必须控制气体中的 SiH4 浓度，不宜过高，鄂尔多斯光伏辅料，并采用较高的 SiN 比。除了 Si 和 N 外， PECVD 的氮化硅一般还包含一定比例的氢原子，即 SixNyHZ 或 SiNx :H 。

6 ．反应压力、和反应室尺寸 等都是影响氮化硅薄膜的性能工艺参数。

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电池片普遍异常现象解决方式

堵网：

1、生产车间溫度、环境湿度与料浆特性缘故：若溫度高、空气湿度低，料浆蒸发*就迅速挥发掉，料浆黏度变大，进而堵网。留意：停止时间太长，会造成堵网，時间越久越比较严重。次之，工作温度低，料浆流通性差也非常容易堵网，因此严控生产车间溫度与环境湿度；

2、网版：用收醇擦整洁并干躁侧后方能应用。若置放時间太久不立即包装印刷，在储存过程中就会黏附灰尘；

3、包装印刷工作压力:包装印刷工作压力过大，会使刮条弯折，刮条与网版和基钢板并不是线触碰，而成面接触，每一次包装印刷都不可以将料浆刮整洁而留有残留料浆，時间长了就会堵网；

4、包装印刷空隙有问题：很小也非常容易堵网；

5、料浆缘故：料浆颗粒物大，要保证充裕的拌和時间。

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国际性锂电池回收现行政策

1991年欧洲共同体施行实施充电电池命令（91/157/EEC），并随之充电电池产业链的迅速发展趋势和环境保护规定的不断提升，前后左右2次修定并各自颁布了充电电池命令（93/86/EEC）和（98/101/EEC）。2006年欧洲共同体公布锂电池回收新命令（2006/66/EC），二手光伏辅料回收价格，要求其理事国锂电池回收再运用总体目标在2016年9月26日以前充电电池综合性利用率超过45%，工业生产充电电池保持100%收购；后于2008年填补公布了废料架构命令（2008/98/EC），对废旧电池类型深化细分化，确立锂电池回收等級。

1993年日本国修定《节能法》并一起施行《再生能源法》合理布局锂电池回收；于2000年*部门实施“3R”方案（recycling/reuse/reduce），明确规定创建充电电池“循环系统-再运用”收购系统软件。1991年和1994年英国陆续创立手持式充电锂电池研究会（PRBA）充电电池和充电锂电池回收商（PBRC），并制订生态环境保护规范輔助锂电池回收。